IRF7233
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Anschlüsse, Verbindungen
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Infineon Technologies IRF7233
| Artikelnummer: | IRF7233 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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Infineon Technologies IRF7233 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IRF7233.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min) Vgs (Max) ±12V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-SO Serie HEXFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9.5A, 4.5V Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 5 V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.5A (Ta) IRF7233 Einzelheiten PDF [English] IRF7233 PDF - EN.pdf -
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